RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
67
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
12
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
67
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
1693
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link