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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
45
Autour de -137% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
19
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3626
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
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Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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