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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
45
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.8
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2709
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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