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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    40 left arrow 45
    左右 -13% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 2709

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