RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
3675
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link