RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.0
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1939
2434
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link