RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
14.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2519
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link