RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
65
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2821
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link