RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
104
Autour de -271% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2892
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link