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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
13.8
14.0
写入速度,GB/s
8.4
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2519
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
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