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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
41
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
26
读取速度,GB/s
13.9
19.2
写入速度,GB/s
8.5
12.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3180
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
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