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PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
17.7
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2818
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
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