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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
39
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.3
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
19
读取速度,GB/s
12.8
19.3
写入速度,GB/s
7.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
3169
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
INTENSO 5641152 4GB
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