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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
44
Autour de -16% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
44
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
12.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
2031
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB Comparaison des RAM
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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