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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
3215
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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