RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
44
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
3692
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link