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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
2937
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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