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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Comparez
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Note globale
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Note globale
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Raisons de considérer
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
44
Autour de -91% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2069
2922
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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