RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
85
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
12
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
5.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
85
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
12.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
5.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
1277
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link