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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
85
左右 47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
85
读取速度,GB/s
12.3
12.0
写入速度,GB/s
8.0
5.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1277
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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