RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
45
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3178
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link