RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3454
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link