RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
39
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
23
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2591
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link