RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2591
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link