RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
38
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2031
2054
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-1333 CL9 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link