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A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Confronto
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB vs Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
45
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.2
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
38
45
Velocità di lettura, GB/s
12.2
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2031
2054
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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