Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Punteggio complessivo
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OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 59
    Intorno 41% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    20.1 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 7.9
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    23400 left arrow 17000
    Intorno 1.38 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    35 left arrow 59
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.8 left arrow 20.1
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.9 left arrow 10.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    17000 left arrow 23400
Other
  • Descrizione
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2126 left arrow 2382
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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