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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
59
Autour de 41% latence réduite
Raisons de considérer
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
17000
Autour de 1.38 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
59
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
23400
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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