RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
17000
Около 1.38 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
59
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
7.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
23400
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2382
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link