Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Средняя оценка

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Причины выбрать
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 45

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.8 12

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

45 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.0 19.8
Скорость записи, Гб/сек

7.8 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1939 3650

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB

Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB

Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB

модули RAM

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

Kingston K821PJ-MID 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

модули RAM