RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3650
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link