RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.8
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3650
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link