RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Pontuação geral
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
45
Por volta de -61% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.8
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
28
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
19.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
14.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1939
3650
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link