RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
64
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
1,869.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,477.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,869.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
697
3138
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link