RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3687
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link