RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
52
Около 48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
52
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2275
2169
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link