RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.2
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
11.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
5.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1880
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
OCZ OCZ2G9001G 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link