RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
45
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
38
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3183
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link