RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
45
Autour de -10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
41
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2058
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link