RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
45
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2855
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link