RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
45
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
32
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3458
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT25664BD160BJ.C4F 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link