RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
45
Intorno -41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
32
Velocità di lettura, GB/s
12.3
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3458
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link