RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
45
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3231
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link