RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3231
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link