RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
45
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
37
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
2804
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link