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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
37
读取速度,GB/s
12.3
15.1
写入速度,GB/s
8.0
11.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2804
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
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