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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.6
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
3,325.1
13.5
写入速度,GB/s
1,441.2
6.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
1338
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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