RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Comparez
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Note globale
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
45
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1992
3091
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link