RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3091
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link