RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1453
2340
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link